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突破浪涌瓶頸!AOS新型TOLL封裝MOSFET賦能48V熱插拔應(yīng)用
來源:電子元件技術(shù)  瀏覽次數(shù):65  發(fā)布時間:2025-05-26

AOS推出的AOTL66935采用自主研發(fā)的100V AlphaSGT? MOSFET技術(shù),通過溝槽工藝實現(xiàn)1.95mΩ超低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時結(jié)合寬范圍安全工作區(qū)(SOA)設(shè)計,顯著提升器件在48V熱插拔場景下的峰值電流承載能力與可靠性。該技術(shù)有效抑制浪涌電流沖擊,降低系統(tǒng)并聯(lián)器件需求,簡化電源拓撲。

產(chǎn)品功能:性能與封裝雙優(yōu)化


● 電氣性能:支持最大連續(xù)漏極電流360A(25℃),瞬態(tài)電流達1440A,適用于高浪涌場景2。

● 封裝創(chuàng)新:采用TO-Leadless(TOLL)封裝,占板面積較傳統(tǒng)D2PAK封裝縮小30%,兼容自動化光學檢測(AOI),并計劃推出更緊湊的LFPAK8x8封裝。

● 認證與可靠性:生產(chǎn)工廠通過IATF 16949認證,確保車規(guī)級品質(zhì)標準。


AI服務(wù)器中的 48V 熱插拔應(yīng)用需要 MOSFET 兼具大電流處理能力,同時還要提供卓越的 SOA 穩(wěn)健性和高可靠性。我們推出的AOTL66935 正是針對這些嚴苛的應(yīng)用需求而設(shè)計,其低導(dǎo)通電阻不僅能降低功率損耗,還可減少并聯(lián)器件數(shù)量。


行業(yè)價值:破解高密度電源設(shè)計痛點


● 能效提升:低導(dǎo)通電阻減少功率損耗,系統(tǒng)能效提升5%-8%,助力AI服務(wù)器降低運營成本。

● 空間壓縮:TOLL封裝節(jié)省30%PCB面積,適配高密度電源模塊設(shè)計。

● 可靠性增強:寬SOA特性支持嚴苛工況下長期穩(wěn)定運行,MTBF提升至10萬小時以上。


技術(shù)難題與解決方案


● 浪涌電流沖擊:通過優(yōu)化柵極結(jié)構(gòu)和SOA設(shè)計,限制瞬態(tài)電流峰值,減少并聯(lián)器件數(shù)量。

● 散熱瓶頸:TOLL封裝采用頂部散熱路徑設(shè)計,降低FR4基板的熱阻,溫升控制<25℃。

● 制造一致性:溝槽工藝結(jié)合AOI檢測技術(shù),確保器件良率與批次穩(wěn)定性。


應(yīng)用場景與市場前景


● 核心場景:AI服務(wù)器48V熱插拔、通信基站電源、工業(yè)設(shè)備緩啟動模塊。

● 市場預(yù)測:2025年服務(wù)器電源MOSFET市場規(guī)模將超20億美元,高可靠性器件需求年增12%。



未來展望:封裝與材料雙線迭代


AOS計劃基于AlphaSGT?技術(shù)推出LFPAK8x8封裝產(chǎn)品,進一步縮小體積并提升散熱效率。同時,探索碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)材料的集成應(yīng)用,目標將耐壓等級提升至1200V,適配新能源與智能電網(wǎng)領(lǐng)域。