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ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導(dǎo)通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達到業(yè)界先進水平。
 
新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導(dǎo)通電阻。另外，通過在一個器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保護等應(yīng)用需求。


新產(chǎn)品中的ROHM自有結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑼ǔ４怪睖喜跰OS結(jié)構(gòu)中位于背面的漏極引腳置于器件表面，并采用了WLCSP*3封裝。WLCSP能夠增加器件內(nèi)部芯片面積的比例，從而降低新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻的降低不僅減少了功率損耗，還有助于支持大電流，使新產(chǎn)品能夠以超小體積支持大功率快速充電。例如，對小型設(shè)備的雙向供電電路進行比較后發(fā)現(xiàn)，使用普通產(chǎn)品需要2枚3.3mm×3.3mm的產(chǎn)品，而使用新產(chǎn)品僅需1枚2.0mm×2.0mm的產(chǎn)品即可，器件面積可減少約81％，導(dǎo)通電阻可降低約33％。即使與通常被認為導(dǎo)通電阻較低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻也降低了約50％。因此，這款兼具低導(dǎo)通電阻和超小體積的“AW2K21”產(chǎn)品有助于降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗并節(jié)省空間。

另外，新產(chǎn)品還可作為負載開關(guān)應(yīng)用中的單向保護MOSFET使用，在這種情況下也實現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻。