中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)
China Electronic Components Association
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（簡稱“東芝”）現(xiàn)已推出適用于半導(dǎo)體測試設(shè)備的低壓光繼電器“TLP3450S”
半導(dǎo)體測試設(shè)備（ATE：自動(dòng)測試設(shè)備）通過向系統(tǒng)LSI或半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等被測器件（DUT）的指定引腳施加電壓/電流，驗(yàn)證DUT是否正常工作。一些光繼電器（MOSFET輸出）作為一種固態(tài)繼電器，用于切換指定引腳的回路。
ATE必須具有高吞吐量，以便同時(shí)測量具有大量引腳的多個(gè)DUT。因此，其必須具備高速開關(guān)功能，以減少開關(guān)動(dòng)作造成的測試時(shí)間損失。同時(shí)，為滿足該需求，還必須研制微型光繼電器，從而在有限的電路板空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)大量貼裝目的。
此外，由于其尺寸小、工作溫度高，因此除了ATE應(yīng)用外，它還是一種可廣泛應(yīng)用于可編程邏輯控制器（PLC）和其它工業(yè)設(shè)備的半導(dǎo)體開關(guān)。
新產(chǎn)品TLP3450S采用小型封裝S-VSON4T。我們還改善了紅外線LED的光輸出性能，并優(yōu)化光電檢測器器件（光電二極管陣列）的設(shè)計(jì)。因此，新產(chǎn)品的開關(guān)時(shí)間（導(dǎo)通時(shí)間）為80 μs（最大值），僅為現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3450的40%。另外，TLP3450S的輸出電容更小、導(dǎo)通電阻更低。當(dāng)輸出關(guān)斷時(shí)，輸出電容會(huì)影響高頻信號泄漏；而當(dāng)輸出導(dǎo)通時(shí)，導(dǎo)通電阻會(huì)影響信號衰減。對于可非常精確且快速地測量DUT的半導(dǎo)體測試設(shè)備，TLP3450S適用于這類設(shè)備的引腳電子。
產(chǎn)品特點(diǎn)
快速導(dǎo)通時(shí)間
輸出電容小
小型封裝S-VSON4T，適合高密度貼裝
1.快速導(dǎo)通時(shí)間
在實(shí)際應(yīng)用中，ATE必須在有限的時(shí)間內(nèi)測量帶有許多端子的很多DUT。如果光繼電器本身的開關(guān)時(shí)間很慢，DUT測試時(shí)間就會(huì)更長。本產(chǎn)品的導(dǎo)通時(shí)間為80 μs（最大值），僅為現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3450的40%。這對系統(tǒng)的整體吞吐量很有幫助。
2.輸出電容小
MOSFET的斷態(tài)輸出引腳之間的電容稱為輸出電容，用COFF表示。當(dāng)除直流電流外的信號（如脈沖）受控時(shí)，且光繼電器處于斷態(tài)的情況下，信號會(huì)通過該電容發(fā)生泄漏。特別是在ATE中，必須非常精確地測量DUT，但如果COFF較大，這種方法不太可行，因?yàn)槿菀桩a(chǎn)生泄漏電流?，F(xiàn)有產(chǎn)品TLP3450的COFF為0.8 pF（典型值），而本產(chǎn)品達(dá)到了0.6 pF（典型值），可以進(jìn)一步抑制斷態(tài)情況下的信號泄漏。
3.小型封裝S-VSON4T，適合高密度貼裝
測試頭分為兩大類：器件電源（DPS）類和引腳電子（PE）類。ATE使用繼電器來切換電源和信號，從而同時(shí)測量多個(gè)DUT。雖然測試設(shè)備高速處理等技術(shù)創(chuàng)新并不常見，但對于必須滿足低成本和高可靠性要求的半導(dǎo)體測試設(shè)備而言，高密度測試板必不可少?，F(xiàn)有的機(jī)械式繼電器無法滿足這些要求，半導(dǎo)體繼電器（光繼電器）可取代它們，從而可在有限的電路板空間內(nèi)貼裝許多光繼電器。新型TLP3450S產(chǎn)品采用小型封裝S-VSON4T（1.45 mm×2.0 mm（典型值），t＝1.4 mm（最大值）），有助于提高貼裝密度。與現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3450相比，其封裝區(qū)域大約減小了18%。
應(yīng)用設(shè)備
PLC模擬接口的應(yīng)用
半導(dǎo)體測試設(shè)備（高速存儲(chǔ)器測試設(shè)備、高速邏輯測試設(shè)備等）
探針卡
各種測量儀器
工業(yè)設(shè)備
*其還適用于具有多個(gè)接口的小型框架應(yīng)用，例如可編程邏輯控制器（PLC）。
新產(chǎn)品主要規(guī)格
（Ta＝25 °C）
