2022年1月15日,中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)通過視頻會(huì)議方式組織召開了深圳市檳城電子股份有限公司(以下簡稱“檳城電子”)“基于TVS和TSS技術(shù)的電源過壓保護(hù)復(fù)合器件”、“5G基站設(shè)施用大功率半導(dǎo)體技術(shù)智能接地模塊”和“通信基站用BD122型無續(xù)流陶瓷氣體放電管”三項(xiàng)科技成果評(píng)價(jià)會(huì)。會(huì)議由中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)管理部主任章怡高級(jí)工程師主持,成果評(píng)價(jià)專家組以及檳城電子項(xiàng)目組成員等人參加了會(huì)議。
成果評(píng)價(jià)專家組首先聽取了檳城電子電子以上三個(gè)項(xiàng)目的科技成果綜述,審查了相關(guān)資料,并進(jìn)行現(xiàn)場質(zhì)詢,項(xiàng)目組成員就相關(guān)問題進(jìn)行了現(xiàn)場答辯。專家組成員視頻觀看了生產(chǎn)測(cè)試現(xiàn)場,最后給出了評(píng)價(jià)結(jié)果和結(jié)論。經(jīng)過詳細(xì)討論和嚴(yán)格審查之后,成果評(píng)價(jià)專家組一致認(rèn)為“基于TVS和TSS技術(shù)的電源過壓保護(hù)復(fù)合器件”項(xiàng)目技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平,“5G基站設(shè)施用大功率半導(dǎo)體技術(shù)智能接地模塊”項(xiàng)目技術(shù)達(dá)到國際領(lǐng)先水平,“通信基站用BD122型無續(xù)流陶瓷氣體放電管”項(xiàng)目技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。
“基于TVS和TSS技術(shù)的電源過壓保護(hù)復(fù)合器件”項(xiàng)目技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)主要有:1) 產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)電路為雙向TVS與單向TSS并聯(lián),正向浪涌保護(hù)為TVS,反向浪涌保護(hù)為TSS與TVS;2)采用標(biāo)準(zhǔn)封裝體積(18.3mm*14mm*7mm)的半導(dǎo)體 TVS+TSS 組合器件,能耐受在 95°C 高溫烘箱中 10kA 雷擊±5 次 8/20μs 測(cè)試;3) 能夠達(dá)到反向 75V 的 TSS,8/20μs 雷擊殘壓規(guī)格標(biāo)稱尖峰殘壓小于 150V,平臺(tái)殘壓小于 15V。
“5G基站設(shè)施用大功率半導(dǎo)體技術(shù)智能接地模塊”項(xiàng)目技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)主要有:1)對(duì)超薄大尺寸半導(dǎo)體放電管(TSS)芯片進(jìn)行了創(chuàng)新性應(yīng)用,解決了原電池反應(yīng)產(chǎn)生的電化學(xué)腐蝕及接地連續(xù)性問題;2) 開發(fā)了大尺寸大功率TSS芯片的陶瓷封裝新技術(shù),解決了大功率通流及密封性問題;3)開發(fā)了TSS芯片的石墨覆銅及封裝應(yīng)力限制技術(shù),實(shí)現(xiàn)了大尺寸芯片高低溫循環(huán)沖擊1000次的高可靠性。
“通信基站用BD122型無續(xù)流陶瓷氣體放電管”項(xiàng)目技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)主要有:1) 疊層封裝,提高產(chǎn)品弧光電壓,解決了續(xù)流問題;2) 在保證8/20μs 20kA、10/350μs 4kA通流能力的情況下,實(shí)現(xiàn)了板載片式化、小型化;3) 和同等通流能力的同類產(chǎn)品相比,實(shí)現(xiàn)了較低的殘壓水平(VPR≤900V)。