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亨通光電100Gbps硅光子模塊項(xiàng)目完成硅光芯片首試
來源:本站原創(chuàng)  瀏覽次數(shù):397  發(fā)布時(shí)間:2018-09-05


亨通光電94日公告顯示,公司與英國洛克利硅光子公司合作的100G硅光子模塊項(xiàng)目完成了100Gbps硅光芯片的首件試制和可靠性測試,完成了硅光子芯片測試平臺(tái)搭建。

201712月,亨通光電與英國洛克利硅光子公司共同出資,設(shè)立江蘇亨通洛克利科技有限公司,從事25/100G硅光模塊生產(chǎn)銷售。

100G硅光模塊項(xiàng)目包括100Gbps QSFP28有源光纜、100G QSFP28 PSM4光收發(fā)模塊、100G QSFP28 CWDM4光收發(fā)模塊三款產(chǎn)品。結(jié)合光的極高帶寬、超快速率和高抗干擾特性以及微電子技術(shù)在大規(guī)模集成、低能耗、低成本等方面的優(yōu)勢,解決了以光子和電子為信息載體的硅基大規(guī)模光電集成技術(shù)運(yùn)用,將激光器、光探測器、光調(diào)制器、波分復(fù)用器件、波導(dǎo)、耦合器件等光電子器件小型化硅片化并與納米電子器件相集成,形成一個(gè)完整的具有綜合功能的新型大規(guī)模光電集成芯片。

目前項(xiàng)目已經(jīng)完成100Gbps硅光芯片的首件試制和可靠性測試,完成硅光子芯片測試平臺(tái)搭建,具體項(xiàng)目包括無源光波導(dǎo)器件的插入損耗、分光比、WDM器件的光譜特性、光探測器的暗電流響應(yīng)度帶寬、光調(diào)制器的調(diào)制速率消光比眼圖、InP基激光器芯片適合于硅光集成的半導(dǎo)體激光器工藝、小發(fā)散角大功率脊波導(dǎo)DFB 2激光器工藝、高溫下激光器散熱工藝、激光器與硅波導(dǎo)耦合技術(shù)、脊波導(dǎo)激光器應(yīng)力對(duì)可靠性影響。項(xiàng)目進(jìn)度快于預(yù)定時(shí)間節(jié)點(diǎn),測試指標(biāo)均到達(dá)、超過預(yù)定目標(biāo)。

下一步公司將進(jìn)行100G硅光子模塊的封裝、測試及組裝工作,預(yù)計(jì)2018年第四季度完成,2019年實(shí)現(xiàn)批量供貨。