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開發(fā)應(yīng)用于數(shù)據(jù)通信、移動通信5G領(lǐng)域的25Gb/s激光器、探測器芯片及器件，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)，提升支撐國家信息基礎(chǔ)建設(shè)的能力，實(shí)現(xiàn)100萬只規(guī)?；瘧?yīng)用。

1.發(fā)射芯片主要技術(shù)指標(biāo)：傳輸速率~25GHz，邊摸抑制比>35dB，消光比>7dB；

2.接收芯片主要技術(shù)指標(biāo)：3dB電帶寬>20GHz，響應(yīng)度>0.7A/W，靈敏度<-12dBm。

鐵氧體片封裝材料

實(shí)現(xiàn)適合低溫?zé)Y(jié)的高性能鐵氧體片材料產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)能可達(dá)200萬m²/年，要求產(chǎn)品在

頻率100kHz—200kHz條件下具有高磁導(dǎo)

率、低損耗的特點(diǎn)。

1.復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率（f=128kHz）:μ?=1000±20%、μ"≤20；

2.飽和磁化強(qiáng)度（f=128kHz、t=25℃、H=1200A/m）Bs≥300mT；

3.居里溫度：Tc≥95℃；

4.鐵氧體片厚度公差：T±5% （T=0.08~0.3mm）。

1.產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)5G智能手機(jī)用新型陶瓷材料及背板產(chǎn)品，至少為兩家主流智能終端用戶提供批量配套。

2.實(shí)現(xiàn)5G通信聲表面波器件用陶瓷封裝基座的批量化生產(chǎn)。擁有該陶瓷封裝基座完全自主知識產(chǎn)權(quán)，3年產(chǎn)量實(shí)現(xiàn)10億只。

1. 陶瓷材料：一次粒徑：≤80nm；粒度（D50）≤0.15μm；比表面積（BET）：（18±2）m2/g。

2. 背板:抗彎強(qiáng)度：≥1300MPa；維氏硬度：≥12GPa；介電損耗（3GHz～60GHz）:≤0.5%；斷裂韌性：7MPa·m1/2。

3.封裝基座：尺寸精度：（1.1±0.05）mm×（0.9±0.05）mm×（0.18±0.05）mm；單只翹曲度：≤30μm；電極共面性：≤10μm（芯片放置區(qū)域）。底部焊盤鍵合強(qiáng)度：用直徑0.13mm漆包銅線焊接焊盤后拉力值≥1.47N。

2020年實(shí)現(xiàn)磁阻傳感器在高檔數(shù)控機(jī)床和機(jī)器人、電力裝備以及海洋工程中的工程化產(chǎn)業(yè)化突破，解決高性能磁傳感器1/f噪聲以及加工工藝的瓶頸問題，建設(shè)數(shù)字化生產(chǎn)線，形成≥5000萬只/年生產(chǎn)能力。

1.掌握高性能磁傳感器設(shè)計(jì)及工藝、模組加工及工藝等技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，建設(shè)數(shù)字化生產(chǎn)線，形成生產(chǎn)能力≥5000萬只/年；

2.線性傳感器功耗≤10μA，本底噪聲≤100pT/Hz0.5@1Hz，靈敏度≥100mV/V/Oe，磁滯≤0.5Oe，5Oe≥飽和場≥1Oe，芯片封裝尺寸6.2mm×5mm×1.75mm；編碼器可實(shí)現(xiàn)最小分辨率0.0002°，絕對精度0.004°，支持SPI、PWM、ABI、UVW和PDI多輸出方式，核心磁敏組件封裝尺寸5mm×5mm×0.9mm。

形成智能型氮氧傳感器本體和控制器自主知識產(chǎn)權(quán)，建立試驗(yàn)驗(yàn)證測試條件；實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)15萬套批量生產(chǎn)能力。

突破動植物、機(jī)器信息感知、決策智控、試驗(yàn)檢測、計(jì)量檢測等基礎(chǔ)和關(guān)鍵共性技術(shù)；突破農(nóng)用動力機(jī)械、施肥播種機(jī)械、植保機(jī)械和收獲機(jī)械等機(jī)器運(yùn)動參數(shù)、作業(yè)狀態(tài)和質(zhì)量等計(jì)量檢測技術(shù)；擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，實(shí)現(xiàn)農(nóng)機(jī)作業(yè)環(huán)境與本體信息快速獲取傳感器及精準(zhǔn)控制智能決策系統(tǒng)。

開發(fā)土壤質(zhì)構(gòu)、綜合肥力、喂入量與谷物流量等在線感知新型傳感器件8-10種；開發(fā)施肥播種機(jī)械、植保機(jī)械和收獲機(jī)械等測控傳感器；適合環(huán)境溫度范圍-40℃～+85℃，在線、動態(tài)檢測誤差滿足實(shí)際需求，防塵、防水、防震。產(chǎn)業(yè)化能力：具有精密傳感器和控制系統(tǒng)制造能力，農(nóng)機(jī)專用傳感器生產(chǎn)能力達(dá)到5萬套/年的生產(chǎn)、測試能力。傳感器誤差±3%以內(nèi)，防護(hù)等級IP66、平均無故障時間5000小時以上。

1.建立年產(chǎn)60萬片AMB基板（190mm×139mm)批產(chǎn)線，建立年產(chǎn)30萬片(190mm×139mm)氮化硅陶瓷生產(chǎn)線。

2.實(shí)現(xiàn)國內(nèi)2-3家新能源模塊、軌道交通IGBT模塊應(yīng)用；2-3家智能電網(wǎng)IGBT模塊應(yīng)用。

3.實(shí)現(xiàn)高純度、高α相氮化硅粉體連續(xù)、批量化生產(chǎn)，產(chǎn)品穩(wěn)定性能達(dá)到世界先進(jìn)水平，產(chǎn)業(yè)化規(guī)?！?00噸/年。

4.掌握綠色制備高純度、高活性氮化硅陶瓷粉體生產(chǎn)技術(shù)，為更高檔次的氮化硅陶瓷提供可靠的原料保障。產(chǎn)業(yè)化規(guī)?！?0噸/年，產(chǎn)品性能與世界先進(jìn)水平相當(dāng)。

1.新能源汽車、軌道交通和智能電網(wǎng)IGBT用高端AlN-AMB和Si3N4-AMB基板產(chǎn)品規(guī)格：190mm×139mm；剝離強(qiáng)度：≥15N/mm（50mm/min）；孔洞率：≤0.5%；線條精度：±0.15mm；最小線寬：0.7mm；晶粒尺寸：≤0.1mm；溫度循環(huán)：MIL-STD-88方法1010條件B，200次（典型產(chǎn)品）。

2.大尺寸氮化硅陶瓷及陶瓷基板：尺寸：190mm×139mm×0.32mm；抗彎強(qiáng)度≥600MPa；熱導(dǎo)率≥90W/m?k；翹曲度≤0.8%；表面粗糙度Ra≤0.7μm。

3.高純度、高α相氮化硅陶瓷粉體：α-Si3N4含量≥93%；氧含量≤1.5%；fSi≤0.1%；其它金屬雜質(zhì)含量≤0.1%；D50≤1μm。4.氨解法綠色制備高純度、高活性氮化硅陶瓷粉體：α-Si3N4含量≥93%；氮含量≥38%，氧含量≤1%；fSi≤0.1%；其它金屬雜質(zhì)含量≤0.1%；D50≤0.5μm。

實(shí)現(xiàn)自主知識產(chǎn)權(quán)的能源用系列高分子薄膜材料產(chǎn)業(yè)化，并應(yīng)用于高效電池組及高密度儲能元器件，提高新能源使用水平。

1.開發(fā)耐高溫高強(qiáng)度磺化聚芳醚腈質(zhì)子交換膜、蜂窩交聯(lián)結(jié)構(gòu)高效質(zhì)子交換膜、鋰離子電池用聚合物基功能隔膜材料，開展材料在電池組或儲能元器件上的應(yīng)用驗(yàn)證。

2.形成濕法隔膜及涂覆隔膜產(chǎn)品規(guī)?；a(chǎn)能力，產(chǎn)能≥4億平方米/年，產(chǎn)品滿足動力電池用鋰離子隔膜材料技術(shù)指標(biāo)要求：厚度公差（含涂層）±2.0μm，熱收縮（150℃，1h）MD≤3.0%、TD≤2.0%，平均孔徑≤0.2μm，孔隙率35～50%，穿刺強(qiáng)度≥30g/μm，拉伸強(qiáng)度MD≥150MPa、TD≥150MPa，吸液率≥80%，破膜溫度≥180℃。涂覆材料：Al₂O₃純度≥99.99%，比表面積4.0～6.0，D50 0.6～0.8μm，鐵含量＜10ppm。