中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)
China Electronic Components Association
日前，長(zhǎng)光華芯二期項(xiàng)目“先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電平臺(tái)”在太湖科學(xué)城功能片區(qū)正式封頂，將建設(shè)國(guó)內(nèi)一流的半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)及生產(chǎn)平臺(tái)，為區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展添勢(shì)蓄能。
蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司于2012年在江蘇蘇州成立，致力于高功率半導(dǎo)體激光器芯片、激光雷達(dá)與3D傳感芯片、高速光通信半導(dǎo)體激光芯片及器件和系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是全球少數(shù)幾家研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導(dǎo)體激光器芯片的公司。
目前，長(zhǎng)光華芯已建成從芯片設(shè)計(jì)、MOCVD（外延）、光刻、解理/鍍膜、封裝測(cè)試、光纖耦合等完整的工藝平臺(tái)和量產(chǎn)線，公司高亮度單管芯片和光纖耦合輸出模塊、高功率巴條和疊陣等產(chǎn)品，在功率、亮度、光電轉(zhuǎn)換效率、壽命等方面屢次突破，獲多項(xiàng)專利，與全球先進(jìn)水平同步。
據(jù)悉，“先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電平臺(tái)”項(xiàng)目總占地面積約31畝，對(duì)標(biāo)國(guó)際頂尖水準(zhǔn)，建設(shè)生產(chǎn)中心、研發(fā)中心和動(dòng)力站及配套設(shè)施，打造基于多種化合物半導(dǎo)體的光電與電子器件的材料、工藝以及封裝技術(shù)開發(fā)的先進(jìn)器件研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)。該項(xiàng)目被列入江蘇省重點(diǎn)工程，是繼2022年8月8日長(zhǎng)光華芯搬遷新基地后的又一重大工程，于2023年開工，預(yù)計(jì)2025年建成并全面投產(chǎn)。此次二期項(xiàng)目封頂，標(biāo)志著長(zhǎng)光華芯在多種化合物半導(dǎo)體光電芯片、器件等方面的產(chǎn)能、研發(fā)水平、橫向擴(kuò)展和縱向延伸能力邁上新臺(tái)階。
