中國電子元件行業(yè)協(xié)會
China Electronic Components Association
福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：晶旭半導(dǎo)體）二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目于2023年12月開工建設(shè)。目前，項目主體已經(jīng)全部封頂，預(yù)計年底之前具備設(shè)備模擬的條件。
該項目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)(外延、芯片及封測一體化廠區(qū)，職工生活區(qū)，研發(fā)中心，專家樓等配套)，據(jù)稱將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，建成后將填補國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。首批產(chǎn)線實現(xiàn)每年400kk產(chǎn)能，企業(yè)產(chǎn)值10億元左右。
公開資料顯示，晶旭半導(dǎo)體是一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條核心技術(shù)、以IDM模式運行的高新技術(shù)企業(yè)。核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片，擁有獨立自主知識產(chǎn)權(quán)。在材料、設(shè)計、制造、裝備等方面，取得多項原創(chuàng)性突破，獲授權(quán)國內(nèi)外發(fā)明專利100余件，并獲得多項國家級榮譽：獲得全國顛覆性技術(shù)創(chuàng)新大賽總決賽最高獎“優(yōu)勝 獎 ”（福建省唯一），創(chuàng)響中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽福建省賽區(qū)一等獎；公司核心技術(shù)團(tuán)隊發(fā)明的氧化物 MOCVD 設(shè)備及高質(zhì)量氧化鎵薄膜的異質(zhì)外延生長技術(shù)，入選了2021年度中國科協(xié)科創(chuàng)中國百項“先導(dǎo)技術(shù)” 榜。關(guān)鍵性能比國外同類產(chǎn)品提升超過20%，已通過多家知名品牌客戶的驗證，有效解決我國在5G射頻濾波芯片領(lǐng)域卡脖子問題。
據(jù)悉，晶旭半導(dǎo)體致力于打造寬禁帶和超寬禁帶化合物半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈，主要產(chǎn)品為氧化鎵基射頻濾波器芯片或器件等，廣泛用于5G/6G通訊、智能物聯(lián),網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、WiFi和GF市場等應(yīng)用領(lǐng)域。該公司基于 epsilon（ε）相氧化鎵薄膜材料優(yōu)越的壓電特性，在國際上率先量產(chǎn)了質(zhì)量優(yōu)越的氧化鎵基表/體聲波射頻濾波器芯片產(chǎn)品，為此，公司正在建設(shè) 30 條以上超寬禁帶半導(dǎo)體射頻芯片和外延片生產(chǎn)線，產(chǎn)品聚焦 5G/6G 通訊、智能物聯(lián)及精確定位等應(yīng)用領(lǐng)域，屆時將形成氧化鎵基聲波射頻濾波器芯片、射頻功率電子芯片等具備全球競爭力的產(chǎn)品，是目前國際上一家具備氧化鎵基 BAW 濾波器芯片自主量產(chǎn)交付能力的企業(yè)。
今年2月2日，晶旭半導(dǎo)體與深圳市睿悅投資控股集團(tuán)有限公司（以下簡稱：睿悅投資）舉行了戰(zhàn)略投資簽署儀式。
本次睿悅投資作為晶旭半導(dǎo)體的獨家戰(zhàn)略投資人，對晶旭半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力晶旭半導(dǎo)體實現(xiàn)年產(chǎn)75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片項目落成達(dá)產(chǎn)。預(yù)估年產(chǎn)值25億左右。
