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陶瓷薄膜電路的關鍵生產(chǎn)工藝
來源:中微聚智  瀏覽次數(shù):5108  發(fā)布時間:2024-11-29

從20世紀90年代起,電子微組裝進人了高速發(fā)展階段,在軍、民用戶端的產(chǎn)品微型化、小型化的需求推動下,混合集成電路也逐步往輕、薄、小的趨勢發(fā)展,而薄膜電路是電子微組裝中的重要電子元器件組成部分,薄膜電路絕大部分選用氧化鋁、氮化鋁等陶瓷作為襯底基材。


薄膜陶瓷基板(Thin Film Ceramic Substrate,TFC)一般采用濺射工藝直接在陶瓷基片表面沉積金屬層。如果輔助光刻、顯影、刻蝕等工藝,還可將金屬層圖形化制備成線路,由于濺射鍍膜沉積速度低(一般低于1um/h)。因此TFC基板表面金屬層厚度較小(一般小于1um),可制備高圖形精度(線寬/線距小于10um)陶瓷基板,主要應用于激光與光通信領域小電流器件封裝。其主要的工藝流程為:研磨減薄、磁控濺射種子層、表面處理、圖形化、劃切。


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1.研磨和拋光


元器件的小型化,也意味著襯底基材需要更高精度的減薄工藝加工,其中常見的減薄工藝是研磨和拋光,但兩者的加工目的不一樣,研磨是以厚度的大幅度減薄為目的,通常削薄的厚度超過數(shù)十微米,而拋光是以改善基片表面狀態(tài)為目的,即降低粗糙度為主,通常削薄的厚度只有幾微米。


1)陶瓷的表面狀態(tài)


陶瓷的表面狀態(tài)會影響薄膜電路金屬膜層與陶瓷之間的結合力,陶瓷的表面狀態(tài)分為即燒、研磨、拋光三種狀態(tài):


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圖 即燒型和研磨型陶瓷基板,來源:浙江正天


(1)即燒指的是陶瓷在高溫燒結后形成的表面狀態(tài),特征是表面致密、連貫,一致性好,粗糙度小于0.1μm,薄膜電路的制作會優(yōu)先選擇即燒狀態(tài),可以獲得良好的金屬與陶瓷之間的結合力;


(2)研磨指的是陶瓷在單面研磨或雙面研磨加工后的狀態(tài),表面比較粗糙,呈波浪起伏狀態(tài),粗糙度因加工的研磨液粒徑、成分差異比較大,一般大于0.1μm;


(3)拋光指的是陶瓷在即燒或研磨加工后,再次進行粗拋、精拋等工序,以獲得接近光亮鏡面、平滑的表面狀態(tài),一般粗糙度小于0.05μm。


同種陶瓷粗糙度從大到小的表面狀態(tài)關系為:研磨>即燒>拋光。


2)單面研磨與雙面研磨


對于研磨工藝,加工后的厚度公差是判斷研磨工藝良莠的最重要的指標之一。陶瓷加工的目標厚度越大,精度越差,主流的標準是:陶瓷加工的厚度公差為厚度初始值的十分之一。按設備的加工方式和工作原理分類,分為單面研磨和雙面研磨兩大類。


(1)單面研磨的工作原理,是將陶瓷基片固定倒扣到混有金屬的樹脂研磨盤中,滴入粒徑10~20μm的金剛石研磨液,基片與研磨盤同向轉動加工,優(yōu)點是可以保留即燒狀態(tài)的一個面制作金屬化圖形,獲得良好結合力的產(chǎn)品,缺點是由于線速度角速度的差異過大造成的基片厚度公差波動大。


(2)雙面研磨的工作原理,是將陶瓷基片放置到特定結構的夾具中,滴人與單面研磨粒徑一致的金剛石研磨液,基片與研磨盤反向轉動加工,優(yōu)點是可以獲得精度更高的厚度公差、均勻的加工壓力,缺點是破壞了基片正反面的即燒狀態(tài),需要后工序的表面再處理降低了生產(chǎn)效率。


同種厚度、尺寸規(guī)格的陶瓷基片加工到相同的目標厚度范圍,使用單面研磨加工的公差一般比雙面研磨大10~20μm。


2.磁控濺射


陶瓷薄膜基板鍍膜的方式有蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜、溶液鍍膜、化學氣相沉積等,其中濺射的工藝穩(wěn)定性、重復性最好,因而應用最廣泛。


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圖 磁控濺射工作原理


磁控濺射的基本原理是在一個高真空密閉高壓電場容器內(nèi),注入少許氬氣,使氬氣電離,產(chǎn)生氬離子流,轟擊容器中的靶陰極,靶材料原子一顆顆的被擠濺出,分子沉淀積累附著在陶瓷基板上形成薄膜。


3.圖形化


圖形化技術是影響陶瓷薄膜電路線條精度的關鍵因素。通過光刻、顯影、刻蝕、電鍍等工藝,將金屬層圖形化制備成特定的線路及膜層厚度。


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圖 薄膜陶瓷基板(TFC)產(chǎn)品


薄膜電路基板圖形的制作方法有三種:


1)整板電鍍深腐蝕法,即先整板電鍍后光刻成型,屬于減成法制作工藝;


2)先光刻圖形后電鍍法,即先經(jīng)過沉積種子層、光刻,然后電鍍金屬層而達到要求;


3)底層連接電鍍法,即先對真空鍍膜的基板進行光刻,腐蝕去除電路圖形以外的表面膜層而保留下面的打底層(如Cr、TiW、Ta或TaN),利用打底層來實現(xiàn)圖形的電連接,然后進行電鍍,這樣就可在圖形上鍍上金屬而在打底層上鍍不上金屬,最后腐蝕除去打底層即可;


4)圖形電鍍法,即帶光刻膠電鍍法,是指在真空鍍膜的基礎上先用反版做出光刻膠掩膜(除所需要的圖形暴露外,其余的全用光刻膠掩膜掩蔽),然后依靠光刻膠下面的金屬種子層做圖形的電連接進行電鍍功能層,最后去膠腐蝕出圖形。